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第四百一十三章:性能优异的碳基光刻胶(2 / 7)

的光刻胶后,取了一小部分做了个实验。

之前制备完成切割好的石墨烯单晶晶圆取出来一小片,其中一半的面积涂抹上光刻胶,另一半则保持原样。

处理好后的石墨烯单晶晶圆通过紫外光源进行照射,时间为期三十秒。

三十秒的照射时间过后,韩元将其取出, 通过特殊溶液清洗掉上面覆盖的碳基光刻胶,然后浸入显影溶液中。

虽然浸泡在溶液中的石墨烯晶圆肉眼看不出什么变化,但当韩元用镊子夹住晶圆在显影溶液中轻轻晃荡的时候,就可以看到显影溶液的颜色变化了。

那是被显影溶液侵蚀掉并冲走了的石墨烯材料导致的。

.......

将石墨烯晶圆从显影溶液中取出,清晰掉上面残留的液体,透过观察设备,可以清晰的看到这一块石墨烯晶圆表面已经有了相当大的变化。

没有被碳基光刻胶覆盖的区域已经被显影溶液侵蚀的差不多了,而覆盖了光刻胶的另一半则并没有什么太明显的变化。

这就是负性光刻胶的功劳了。

它覆盖在石墨烯单晶晶圆表面后,通过紫外光照,可以在短时间内迅速变态,改变覆盖区域的石墨烯结构,增强其对显影溶液的抗性,让其变得不容易被侵蚀。

而没有覆盖光刻胶的地方,就会被侵蚀掉,形成与遮光物的形状相反的样子。

也就是形成掩膜版相反的模样。

这就是芯片通过光刻机雕刻的最主要原理,也是光刻胶在芯片制造过程中异常重要,甚至堪比光刻机的主要原因。

检查了一下被显影液侵蚀的石墨烯单晶晶圆,得到各种信息数据后,韩元也是露出了个灿烂的笑容。

制备出来的碳基光刻胶效果相当不错, 被覆盖的区域经过紫外光源的照射后几乎完整的保留了下来。

而且这还只是普通

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