换晶体管的材料，硅基底的物理特性摆在了哪里。
也就是说，硅基半导体材料的极限注定在一纳米这个数字上。
低于一纳米，穿梭在晶体管中的电子会直接击穿硅基底的晶格结构，从而造成电子乱串。
这也就是所谓的‘量子隧穿效应’，亦是硅基芯片的极限。
然而这也只是理论，实际上由于物理所限，硅基芯片技术能做到两纳米几乎是极限了，硅基管不能再小了。
一纳米，那几乎就是黑科技。
所以芯片如果想要再进一步发展，那么寻找其他的材料来替换硅半导体这是必须的。
有关碳基芯片的消息，韩元也是知道一些的。
毕竟前些年的时候网络上闹的轰轰烈烈的。
什么碳基芯片弯道超车。
什么硅基芯片被强制垄断，我国发展碳基芯片，打破西方全线围堵。
各种有关的消息在网上遍地都是，他又不是村里刚通2g网。
当时的他还没有毕业，对于这种东西还是挺感兴趣的。
毕竟真要能研制出来碳基芯片这种东西，那华国的腾飞将是注定的，谁也无法阻止。
真要说为国奉献出所有他也做不到，但不代表他不能为国家高速发展而高兴。
但后面偶尔在和学校的教授聊过这个话题后，韩元就放下这种想法。
那名教授说的很直白。
他说，碳基芯片早就不是什么新概念了，早在二三十年前就有。
但一直到现在，连理论都没有完全解决，各大科杆上有关的论文灌水及其严重。
对于这种连理论都没有完全解决的东西，他是不抱什么太大的希望的。
纵然碳基半导体成本更低、功耗更小、效率更高，那也是未来不知道多少年的事情了。
如果碳基芯片真
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