1975年，倭国人提出了以通产省为中心的“下世代电子计算机用vlsi研究开发计划”构想，设立了官方与民间共同参与的“超大规模集成电路（vlsi）研究开发政策委员会”。
1976年3月，经通产省、大藏省等多次协商，倭国政府启动了“dram制法革新”国家项目。由政府出资320亿日元，日立、nec、富士通、三菱、东芝五大公司联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元（以当时汇率计算约2.36亿美金）为基金，由倭国电子综合研究所和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——vlsi技术研究所。
这可以说是一次倭国版本的“举国体制”会战。
这次会战充分发挥出了这种“举国体制”的优势，倭国的官产学三位一体，协调发展，通力合作，齐心协力，针对高难度、高风险的研究项目，vlsi研究所组织多个实验室通力合作，调动各单位的积极性，发挥良性竞争，各企业之间技术共享合作，共同提高dram量产成功率。
到1980年，倭国人宣布完成了“dram制法革新国家项目”。期间申请的实用新型专利和商业专利，分别达到1210件和347件。研发的主要成果包括各型号电子束曝光设备，采用紫外线、x射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，取得了一系列引人注目的成果，为赢得第一次倭米半导体战争打下了坚实的产业和科研基础。
在这次“会战”之前，倭国虽然可以生产dram内存芯片，但是最为关键的生产制程设备和原材料主要来自米国，为了补足短板，倭国人组织了800余名技术人员进行重点攻关，共同研制高性能的国产化dram生产设备，不仅实现了64k dram和128k dram的商用化，更是于1983年实现了256k dram商用化的关键生产制程设备，目前正在向512k及1
本网站为网友提供小说上传储存空间平台，为网友提供在线阅读交流、txt下载，平台上的所有文学作品均来源于网友的上传
用户上传的文学作品均由网站程序自动分割展现，无人工干预，本站自身不编辑或修改网友上传的内容（请上传有合法版权的作品）
如发现本站有侵犯权利人版权内容的，请向本站投诉，一经核实，本站将立即删除相关作品并对上传人ID账号作封号处理